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IORI
發文時間:2002-11-06 20:01:40
據Korea Economic Daily(韓國經濟日報)的報導,Hynix Semiconductor(現代半導體)宣布該公司成功地開發出使用0.10微米技術的512Mbit DDR記憶體。
這是主基板用的.成功開發到量產約要一年半以上.samsung會快一點.
GF5 先用4Mx32 DDR2的DRAM速度先定在500MHz.
512Mbit DDR實值意義不大只是個載具,在2年內若沒有殺手級的產品出現用這麼大的DRAM做MODULE不妥當,且2年後跟上來的是DDR2不是DDR