ㄜ~~我先就我知道的一些記憶體的種類間單介紹一下好了

Flash Memory ROM

一種 EEPROM, 燒錄時一次寫入一整個區塊, 速度比一次寫入一個位元組 (BYTE) 的 EEPROM 快.新式的電腦使用 FLASH MEMORY 作為儲存 BIOS 的元件, 使 BIOS 可由一般使用者作更新 (UPDATE), 而不必使用特殊的燒錄器(BURNER).

SRAM Static RAM

SRAM 是一種揮發性的半導體技術. 簡單來說, 當你把以SRAM為儲存裝置的電源或電池拔掉後儲存在SRAM中的資料將會消失，Static RAM 是一種靜態隨機存取記憶體 (RAM), 存取速度比 DRAM 快, 不像 DRAM 需要不停的 REFRESH, 但製造成本較高, 通常用來作為快取 (CACHE) 記憶體使用.

DRAM Dynamic Random Access Memory

動態隨機存取記憶體, 一種隨機存取記憶體 (RAM), 價格較靜態記憶體 (SRAM) 便宜, 但存取速度較慢, 耗電量較大.動態的意思是, 記憶體不會一直保存記憶內容, 會隨著時間而將內容流失, 技術上來說就是, 記憶體必須不斷的重新的加強 (REFRESHED) 電位差量, 否則電位差將降低至無法有足夠的能量表現每一個記憶單位處於何種狀態.

SDRAM Synchronous DRAM

同步動態隨機存取記憶體（Synchronous DRAM），是DRAM的新型，比傳統記憶體的時脈速度要快上許多。因為它能和CPU的匯流排同步，並能夠同時開啟兩個記憶體頁 (PAGE)，而運算速度有100MHZ 133MHZ 150MHZ等不同的速度，但因為他所能提供的頻寬並不足以滿足現今高速中央處理器的需求，於是，INTEL 便主導一項新的記憶規格，RDRAM Rambus Dynamic Random Access Memory。以提供其新一代處理器 PENTIUN4 足夠的頻寬


DDR-SDRAM Double-Data-Rate SDRAM

一種雙倍速的 SDRAM, 在每一個時鐘循環 (CLOCK CYCLE) 的兩個觸發邊緣 (EDGE) 都能傳輸資料.

同步：是指記憶體與系統上的CPU，主機板使用的工作時脈相同
如處理器的外部工作時脈是133mhz(如p3)，則送去記憶體上的時脈也 是133mhz。

隨機存取：當資料在寫入記憶體時每一次所寫入的資料都與上一次資料寫入的位址無關


http://www.twinmos.com.tw/service/c_service1.asp
這裡是勤茂的網站，有更詳盡的解說
我只知道這些了，不知道幫不幫的上忙
也希望了解這些ram的大大們能補充缺失的部分



如果時間過的慢一點
幸福就可以久一點

Edited by - druid on 04/08/2002 19:50:11

Edited by - druid on 04/08/2002 22:42:46

Edited by - druid on 04/08/2002 23:04:58

quote:

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ㄜ~~我先就我知道的一些記憶體的種類間單介紹一下好了

Flash Memory ROM

一種 EEPROM, 燒錄時一次寫入一整個區塊, 速度比一次寫入一個位元組 (BYTE) 的 EEPROM 快.新式的電腦使用 FLASH MEMORY 作為儲存 BIOS 的元件, 使 BIOS 可由一般使用者作更新 (UPDATE), 而不必使用特殊的燒錄器(BURNER).

SRAM Static RAM

SRAM 是一種揮發性的半導體技術. 簡單來說, 當你把以SRAM為儲存裝置的電源或電池拔掉後儲存在SRAM中的資料將會消失，Static RAM 是一種靜態隨機存取記憶體 (RAM), 存取速度比 DRAM 快, 不像 DRAM 需要不停的 REFRESH, 但製造成本較高, 通常用來作為快取 (CACHE) 記憶體使用.

note: SRAM 的data 不會lose 的原因在於0/1是採用latch的方式, 大多為4T or 6T 的架構, 跑的快是因為address 解碼只要一次不用先 row address 再column address, 製造成本高看是用何種角度看for example: 用4T 去做4M SRAM 它的DIE SIZE 接近16M DRAM的大小所以單一WAFFER產出較少對4M 大小來說較貴,可是立足點不同算成本不公平. 現在發展出1T SRAM DIE SIZE 較小但骨子裡是DRAM架構,CURRENT會大一點.


DRAM Dynamic Random Access Memory

動態隨機存取記憶體, 一種隨機存取記憶體 (RAM), 價格較靜態記憶體 (SRAM) 便宜, 但存取速度較慢, 耗電量較大.動態的意思是, 記憶體不會一直保存記憶內容, 會隨著時間而將內容流失, 技術上來說就是, 記憶體必須不斷的重新的加強 (REFRESHED) 電位差量, 否則電位差將降低至無法有足夠的能量表現每一個記憶單位處於何種狀態.

note: DRAM 有EDO MODE or FP MODE, FP MODE是較早的設計, EDO MODE是改良
版, 差別在DATA LATCH POINT. 這些產品採用時間差來下命令故速度不是
很快.

SDRAM Synchronous DRAM

同步動態隨機存取記憶體（Synchronous DRAM），是DRAM的新型，比傳統記憶體的時脈速度要快上許多。因為它能和CPU的匯流排同步，並能夠同時開啟兩個記憶體頁 (PAGE)，而運算速度有100MHZ 133MHZ 150MHZ等不同的速度，但因為他所能提供的頻寬並不足以滿足現今高速中央處理器的需求，於是，INTEL 便主導一項新的記憶規格，RDRAM Rambus Dynamic Random Access Memory。以提供其新一代處理器 PENTIUN4 足夠的頻寬

note: synchronous 是只運做方式有依據, 就SDRAM來說是CLOCK, 但是否一定與系統同步到不一定. RAMBUS採16bit架構運做又對板子要求高跑這樣不算好, PC SDRAM MODULE採64bit 架構, nVidia DDR MB有128bit架構只要頻率再高一點,頻寬不比RAMBUS差.


DDR-SDRAM Double-Data-Rate SDRAM

一種雙倍速的 SDRAM, 在每一個時鐘循環 (CLOCK CYCLE) 的兩個觸發邊緣 (EDGE) 都能傳輸資料.

note: DRAM INTERNAL PREFETCH 2 是與SDRAM最大的差異. 所以WRITE 也有LATENCY

同步：是指記憶體與系統上的CPU，主機板使用的工作時脈相同
如處理器的外部工作時脈是133mhz(如p3)，則送去記憶體上的時脈也 是133mhz。

note: system clock 與DRAM clock 不一定相同. CPU 100MHz, DRAM 133MHZ (via). mclk 250, nvclk 275 (nVidia).....

隨機存取：當資料在寫入記憶體時每一次所寫入的資料都與上一次資料寫入的位址無關

Note: address是system送到DRAM的,是可安排的
note: Synchrounous SRAM (SSRAM)代表有同步機制CLOCK

你可以去看Batty prince 的semiconductor memory (DDR沒有,書很古了很多人有才是), 總結揮發與非揮發是指電源OFF後資料是否存在來分, 靜態與非靜態是以CELL STORE DATA的方式需要REFRESH OR NOT, RANDOM ACCESS是只可任意ACCESS到想要的地方(MEMORY CELL). NEC 有一些APPLICATION NOTE可看看,要不然去SAMSUNG DOWNLOAD每一種DATA SHEET回家念.


http://www.twinmos.com.tw/service/c_service1.asp
這裡是勤茂的網站，有更詳盡的解說
我只知道這些了，不知道幫不幫的上忙
也希望了解這些ram的大大們能補充缺失的部分



如果時間過的慢一點
幸福就可以久一點

Edited by - druid on 04/08/2002 19:50:11

Edited by - druid on 04/08/2002 22:42:46

Edited by - druid on 04/08/2002 23:04:58

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