另外請問一個問題喔！常常看到主機板上有調jump,CPU/DRAM 的數字，如：100/166,100/133....等的東西，請問高手們，向那些數字適如何去做調整呢？？如果是P4-2.0A(400MHZ) & 256DDR333來說，請各位以這個例子來為我做一些解說，另外記憶體的CL2 V.S CL2.5對記憶體來說到底指的是什麼呢？請各位高手多給予我這方面的知識....thks....

Andy

「Column Address Strobe（行位址控制器）」。要解釋這個名詞，那得從記憶體晶片本身談起：

我們不妨將記憶體想成儲存資料的陣列、或說表格。為了要決定每個資料的位置，我們會將這些位置以行與列的方式來編號。如此一來，正如你所想見的，除了CAS（行位址控制器）以外，還有RAS（列位址控制器）。
記憶體是如何運作的？

事實上，記憶體是這麼運作的：為了要讀出或寫入某筆資料，記憶體控制晶片會先傳送列的位址，接下來RAS訊號就會被啟動。然而，在存取行的資料前，還需要幾個執行週期才行，這就是所謂的RAS-to-CAS延遲時間。同樣的，在CAS訊號被執行後，也同樣需要幾個週期。使用標準PC133的SDRAM大約是2到3個週期；而DDR RAM則是4到5個週期。在DDR中，「真正的」CAS延遲時間則是2到2.5個執行週期。

RAS-to-CAS的時間則視技術而定，大約是5到7個週期，這也是延遲的基本因素。你也可以說與CL2.5（DDR）或CL3（SDRAM）比起來，CL2記憶體更具優勢。理論上，這是事實，但還有其它的因素會影響這個數據，例如，新一代處理器的快取記憶體較有效率，這表示處理器比較少直接存記憶體上存取資料。再者，列的資料會比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發生機率也大，讀取的時間也會變多。最後，有時會發生同時讀取大量資料的情形，在這種情形下，相鄰的記憶體資料會一次被讀取出來，CAS延遲時間只會發生一次。

在買記憶體的時候，如果CL2的價格只比其他的高上一些，那建議你就買CL2吧。不過你要記得不同速度的記憶體混在一起時，最慢的記憶體就會成為效能瓶頸。舉例來說，如果你插上3個CL2記憶體模組以及一個CL2.5的記憶體模組，那4條記憶體都會以CL2.5的慢速來執行

P4-2.0A(400MHZ) : cpu-> 100
256DDR333 : dram-> 166

quote:

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P4-2.0A(400MHZ) : cpu-> 100
256DDR333 : dram-> 166

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所以當我們CPU超頻的時候從外頻下手，那麼記憶體也是一樣嗎？？是否今天我把DRAM調成200，就可上DDR400了？？（當然還是要能開機，OS也沒問題）